Stmicroelectronics (Stm), nuova joint venture manifatturiera in Cina

Stmicroelectronics (Stm) ha annunciato un accordo per la creazione di una nuova joint venture manifatturiera in Cina.

Stm, il gruppo italo-francese dei semiconduttori, e Sanan Optoelectronics, leader di mercato in semiconduttori compositi in Cina, impegnato in LED, SiC, comunicazioni ottiche, RF, filtri e prodotti in GaN, hanno firmato un accordo per la creazione di una JV manifatturiera da 200 mm di dispositivi al carburo di silicio a Chongqing in Cina.

Il nuovo impianto di produzione in SiC dovrebbe iniziare la produzione nel quarto trimestre del 2025 e il completamento della costruzione è previsto per il 2028, a sostegno della crescente domanda cinese di elettrificazione delle automobili e di applicazioni industriali per l’energia e la potenza.

Parallelamente, Sanan costruirà e gestirà separatamente un nuovo impianto di produzione di substrati in SiC da 200 mm per soddisfare le esigenze della JV, utilizzando il proprio processo di produzione di substrati SiC.

La jv produrrà dispositivi SiC esclusivamente per Stmicroelectronics, utilizzando la tecnologia di processo manifatturiero in SiC di cui ST è proprietaria, e farà da foundry dedicata a ST per soddisfare la domanda dei suoi clienti cinesi.

Stm prevede un importo totale per la realizzazione completa della jv di circa 3,2 miliardi di dollari, comprese le spese in conto capitale di circa 2,4 miliardi di dollari nel corso dei prossimi 5 anni, che saranno finanziate dai contributi di Stm e Sanan, dal sostegno del governo locale e da prestiti alla jv. “La Cina si sta muovendo rapidamente verso l’elettrificazione nel settore automotive e industrial e questo è un mercato in cui St è già ben consolidata con molti programmi in corso con i nostri clienti – ha commentato il ceo di Stm, Jean-Marc Chery -. La creazione di una foundry dedicata con un partner locale chiave è il modo più efficiente per soddisfare la crescente domanda dei nostri clienti cinesi. Mettere insieme il futuro impianto di produzione di substrati da 200 mm di Sanan con la JV front-end e l’attuale impianto back-end di ST a Shenzhen (Cina), consentirà a ST di offrire ai nostri clienti cinesi una catena del valore SiC completamente integrata verticalmente”.

Per il manager “si tratta di un passo importante per aumentare ulteriormente le nostre attività operative manifatturiere globali in SiC, che si aggiunge ai nostri importanti investimenti in Italia e a Singapore che continuano ad andare avanti. Ci aspettiamo che questa joint venture sia uno dei fattori per afferrare l’opportunità che vediamo di raggiungere un fatturato SiC di 5 miliardi e oltre di dollari entro il 2030. Questa iniziativa è coerente con l’ambizione di ST di ricavi per 20 miliardi e oltre di dollari nel 2025- 27 e con il relativo modello finanziario, precedentemente comunicato ai mercati finanziari”.

“La creazione di questa joint venture sara’ una forza trainante importante per l’ampia adozione di dispositivi SiC sul mercato cinese”, ha commentato Simon Lin, amministratore delegato di Sanan Optoelectronics. “Essendo una società di servizi di fonderia SiC internazionale, ben conosciuta e di alta qualità, Sanan fornira’ anche il suo substrato SiC a questa nuova joint venture, costruendo una nuova fabbrica dedicata di substrati in SiC. Si tratta di un passo importante per le ambizioni di Sanan Optoelectronics come foundry di SiC. Con questa nuova JV e la nuova espansione della capacità di substrati in SiC, siamo fiduciosi di continuare a prendere la guida del mercato delle foundry di SiC”.

In Borsa alle ore 10,30 le azioni Stmicroelectronics (Stm) segnano +0,6% a 42,005 euro, con il Ftse Mib in calo di un -0,7%.

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